過電流保護(hù)
在變頻器維修中,過電流保護(hù)的對象主要指帶有突變性質(zhì)的、電流的峰值超過了變頻器的容許值的情形.
由于逆變器的過載能力較差,所以變頻器的過電流保護(hù)是至關(guān)重要的一環(huán),迄今為止,已發(fā)展得十分完善.
一、過電流的原因
1、工作中過電流即拖動系統(tǒng)在工作過程中出現(xiàn)過電流.其原因大致來自以下幾方面：
?、匐妱訖C遇到?jīng)_擊負(fù)載,或傳動機構(gòu)出現(xiàn)“卡住”現(xiàn)象,引起電動機電流的突然增加.
?、谧冾l器的輸出側(cè)短路,如輸出端到電動機之間的連接線發(fā)生相互短路,或電動機內(nèi)部發(fā)生短路等.
?、圩冾l器自身工作的不正常,如逆變橋中同一橋臂的兩個逆變器件在不斷交替的工作過程中出現(xiàn)異常。例如由于環(huán)境溫度過高，或逆變器件本身老化等原因，使逆變器件的參數(shù)發(fā)生變化，導(dǎo)致在交替過程中，一個器件已經(jīng)導(dǎo)通、而另一個器件卻還未來得及關(guān)斷，引起同一個橋臂的上、下兩個器件的“直通”，使直流電壓的正、負(fù)極間處于短路狀態(tài)。
2、升速時過電流當(dāng)負(fù)載的慣性較大，而升速時間又設(shè)定得太短時，意味著在升速過程中，變頻器的工作效率上升太快，電動機的同步轉(zhuǎn)速迅速上升，而電動機轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)速因負(fù)載慣性較大而跟不上去，結(jié)果是升速電流太大。
3、降速中的過電流當(dāng)負(fù)載的慣性較大，而降速時間設(shè)定得太短時，也會引起過電流。因為，降速時間太短，同步轉(zhuǎn)速迅速下降，而電動機轉(zhuǎn)子因負(fù)載的慣性大，仍維持較高的轉(zhuǎn)速，這時同樣可以是轉(zhuǎn)子繞組切割磁力線的速度太大而產(chǎn)生過電流。
二、處理方法
1、起動時一升速就跳閘，這是過電流十分嚴(yán)重的現(xiàn)象，主要檢查
①工作機械有沒有卡住
?、谪?fù)載側(cè)有沒有短路，用兆歐表檢查對地有沒有短路
?、圩冾l器功率模塊有沒有損壞
④電動機的起動轉(zhuǎn)矩過小，拖動系統(tǒng)轉(zhuǎn)不起來
2、起動時不馬上跳閘，而在運行過程中跳閘，主要檢查
?、偕贂r間設(shè)定太短，加長加速時間
?、跍p速時間設(shè)定太短，加長減速時間
?、坜D(zhuǎn)矩補償(U/F比)設(shè)定太大，引起低頻時空載電流過大
④電子熱繼電器整定不當(dāng)，動作電流設(shè)定得太小，引起變頻器誤動作
電壓保護(hù)
1、過電壓保護(hù)
產(chǎn)生過電壓的原因及處理方法：
?、匐娫措妷禾?br />
?、诮邓贂r間太短
?、劢邓龠^程中，再生制動的放電單元工作不理想，來不及放電，請增加外接制動電阻和制動單元
?、苷垯z查放電回路有沒有發(fā)生故障，實際并不放電；對于小功率的變頻器很有放電電阻損壞
2、欠電壓保護(hù)
產(chǎn)生欠電壓的原因及處理方法：
?、匐娫措妷禾?br />
?、陔娫慈毕?；
③整流橋故障：如果六個整流二極管中有部分因損壞而短路，整流后的電壓將下降，對于整流器件和晶閘管的損壞，應(yīng)注意檢查，及時更換。
逆變器件的介紹：
1.SCR和GTO晶閘管
?、牌胀ňчl管SCR曾稱可控硅，它有三個極：陽極，陰極和門極。
SCR的工作特點是，當(dāng)在門極與陰極間加一個不大的正向電壓（G為+，K為—）時，SCR即導(dǎo)通，負(fù)載Rl中就有電流流過。導(dǎo)通后，即使取消門極電壓，SCR仍保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)陽極電路的電壓為0或負(fù)值時，SCR才關(guān)斷。所以，只需要用一個脈沖信號，就可以控制其導(dǎo)通了，故它常用于可控整流。
作為一種無觸點的半導(dǎo)體開關(guān)器件，其允許反復(fù)導(dǎo)通和關(guān)斷的次數(shù)幾乎是無限的，并且導(dǎo)通的控制也十分方便。這是一般的“通-斷開關(guān)”所望塵莫及的，從而使實現(xiàn)異步電動機的變頻調(diào)速取得了突破。但由于變頻器的逆變電路是在直流電壓下工作的，而SCR在直流電壓下又不能自行關(guān)斷，因此，要實現(xiàn)逆變，還必須增加輔助器件和相應(yīng)的電路來幫助它關(guān)斷。所以，盡管當(dāng)時的變頻調(diào)速裝置在個別領(lǐng)域（如風(fēng)機和泵類負(fù)載）已經(jīng)能夠?qū)嵱?，但未能進(jìn)入大范圍的普及應(yīng)用階段。
?、崎T極關(guān)斷（GTO）晶閘管SCR在一段時間內(nèi)，幾乎是能夠承受高電壓和大電流的唯一半導(dǎo)體器件。因此，針對SCR的缺點，人們很自然地把努力方向引向了如何使晶閘管具有關(guān)斷能力這一點上，并因此而開發(fā)出了門極關(guān)斷晶閘管。
GTO晶閘管的基本結(jié)構(gòu)和SCR類似，它的三個極也是：陽極（A）、陰極（K）和門極（G）。其圖行符號也和SCR相似，只是在門極上加一短線，以示區(qū)別。
GTO晶閘管的基本電路和工作特點是：
①在門極G上加正電壓或正脈沖（開關(guān)S和至位置1）GTO晶閘管即導(dǎo)通。其后，即使撤消控制信號（開關(guān)回到位置0），GTO晶閘管仍保持導(dǎo)通?？梢姡珿TO晶閘管的導(dǎo)通過程和SCR的導(dǎo)通過程完全相同。
?、谌缭贕、K間加入反向電壓或較強的反向脈沖（開關(guān)和至位置2），可使GTO晶閘管關(guān)斷。用GTO晶閘管作為逆變器件取得了較為滿意的結(jié)果，但其關(guān)斷控制較易失敗，故仍較復(fù)雜，工作頻率也不夠高。而幾乎是與此同時，大功率管（GTR）迅速發(fā)展了起來，使GTO晶閘管相形見絀。因此，在大量的中小容量變頻器中，GTO晶閘管已基本不用。但其工作電流大，故在大容量變頻器中，仍居主要地位。
逆變器件的介紹：上次我們向大家介紹了普通晶閘管（SCR）和門極關(guān)斷晶閘管（GTO），最重要是讓大家了解變頻器中逆變器件是如何工作的，它們起到什么作用！接下來我們講：大功率晶體管（GTR）-大功率晶體管，也叫雙極結(jié)型晶體管（BJT）。
1、變頻器用的GTR一般都是（復(fù)合管）模塊，其內(nèi)部有三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和基極B。根據(jù)變頻器的工作特點，在晶體管旁還并聯(lián)了一個反向連接的續(xù)流二極管。又根據(jù)逆變橋的特點，常做成雙管模塊，甚至可以做成6管模塊。
2、工作時狀態(tài)和普通晶體管一樣，GTR也是一種放大器件，具有三種基本的工作狀態(tài)：
⑴放大狀態(tài)起基本工作特點是集電極電流Ic的大小隨基極電流Ib而變Ic=βIb式中β------GTR的電流放大倍數(shù)。
GTR處于放大狀態(tài)時，其耗散功率Pc較大。設(shè)Uc=200V，Rc=10Ω，β=50，Ib=200mA（0.2A）計算如下：Ic=βIb=50*0.2A=10AUce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100VPc=UceIc=100*10W=1000W=1KW⑵飽和狀態(tài)Ib增大時，Ic隨之而增大的狀態(tài)要受到歐姆定律的制約。當(dāng)βIb>Uc/Rc時，Ic=βIb的關(guān)系便不能再維持了，這時，GTR開始進(jìn)入“飽和"狀態(tài)。而當(dāng)Ic的大小幾乎完全由歐姆定律決定，即Ics≈Uc/Rc時，GTR便處于深度飽和狀態(tài)（Ics為飽和電流）。這時，GTR的飽和壓降Uces約為1-5V。
GTR處于飽和狀態(tài)時的功耗是很小的。上例中，設(shè)Uces=2V，則Ics=Uc/Rc=200/10A=20APc=UcesIcs=2*20W=40W
可見，與放大狀態(tài)相比，相差甚遠(yuǎn)。
?、墙刂?fàn)顟B(tài)即關(guān)斷狀態(tài)。這是基極電流Ib≤0的結(jié)果。
在截止?fàn)顟B(tài)，GTR只有很微弱的漏電流流過，因此，其功耗是微不足道的。
GTR在逆變電路中是用來作為開關(guān)器件的，工作過程中，總是在飽和狀態(tài)間進(jìn)行交替。所以，逆變用的GTR的額定功耗通常是很小的。而如上述，如果GTR處于放大狀態(tài)，其功耗將增大達(dá)百倍以上。所以，逆變電路中的GTR是不允許在放大狀態(tài)下小作停留的。
3.主要參數(shù)
⑴在截止?fàn)顟B(tài)時
?、贀舸╇妷篣ceo和Ucex：能使集電極C和發(fā)射極E之間擊穿的最小電壓?；鶚OB開路是用Uceo表示，B、E間接入反向偏壓時用Ucex表示。在大多數(shù)情況下，這兩個數(shù)據(jù)是相等的。
?、诼╇娏鱅ceo和Icex：截止?fàn)顟B(tài)下，從C極流向E極的電流。B極開路時為Iceo，B、E間反偏時為Icex。
⑵在飽和狀態(tài)時
?、偌姌O最大電流Icm：GTR飽和導(dǎo)通是的最大允許電流。
?、陲柡蛪航礥ces：當(dāng)GTR飽和導(dǎo)通時，C、E間的電壓降。
?、窃陂_關(guān)過程中
?、匍_通時間Ton：從B極通入正向信號電流時起，到集電極電流上升到0.9Ics所需要的時間。
?、陉P(guān)斷時間Toff：從基極電流撤消時起，至Ic下降至0.1Ics所需的時間
開通時間和關(guān)斷時間將直接影響到SPWM調(diào)制是的載波頻率。通常，使用GTR做逆變管時的載波頻率底于2KHz。
4.變頻器用GTR的選用
?、臮ceo通常按電源線電壓U峰值的2倍來選擇。
Uceo≥2廠2U在電源電壓為380V的變頻器中，應(yīng)有Uceo≥2廠2U*380V=1074.8V，故選用Uceo=1200V的GTR是適宜的。
?、艻cm按額定電流In峰值的2倍來選擇Icm≥2廠2InGTR是用電流信號進(jìn)行驅(qū)動的，所需驅(qū)動功率較大，故基極驅(qū)動系統(tǒng)比較復(fù)雜，并使工作頻率難以提高，這是其不足之處。今天我告訴大家的是MOSFET以及IGBT
1、功率場效應(yīng)晶體管（POWERMOSFET）它的3個極分別是源極S、漏極D和柵極G
其工作特點是，G、S間的控制信號是電壓信號Ugs。改變Ugs的大小，主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動功率很小。和GTR相比，其驅(qū)動系統(tǒng)比較簡單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大等優(yōu)點。
但是，功率場效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢，故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位。
2、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物，是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)）的晶體管，它的三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。
工作特點是，控制部分與場效應(yīng)晶體管相同，控制信號為電壓信號Uge,輸入阻抗很高，柵極電流I≈0，故驅(qū)動功率很小。而起主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電極電流I。
至今，IGBT的擊穿電壓也已做到1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A，由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已達(dá)到250KVA以上。
此外，其工作頻率可達(dá)20KHZ。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10KHZ以上，故電動機的電源波形比較平滑，基本無電磁噪聲。
在變頻器工作時，流過變頻器的電流是很大的,變頻器產(chǎn)生的熱量也是非常大的，不能忽視其發(fā)熱所產(chǎn)生的影響
通常，變頻器安裝在控制柜中。我們要了解一臺變頻器的發(fā)熱量大概是多少.可以用以下公式估算：發(fā)熱量的近似值=變頻器容量（KW）×55[W]
在這里,如果變頻器容量是以恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載為準(zhǔn)的(過流能力150%*60s)
如果變頻器帶有直流電抗器或交流電抗器,并且也在柜子里面,這時發(fā)熱量會更大一些。電抗器安裝在變頻器側(cè)面或測上方比較好。
這時可以用估算：變頻器容量（KW）×60[W]
因為各變頻器廠家的硬件都差不多,所以上式可以針對各品牌的產(chǎn)品.
注意：如果有制動電阻的話，因為制動電阻的散熱量很大，因此最好安裝位置最好和變頻器隔離開，如裝在柜子上面或旁邊等。
那么,怎樣才能降低控制柜內(nèi)的發(fā)熱量呢?
當(dāng)變頻器安裝在控制機柜中時，要考慮變頻器發(fā)熱值的問題。
根據(jù)機柜內(nèi)產(chǎn)生熱量值的增加，要適當(dāng)?shù)卦黾訖C柜的尺寸。因此，要使控制機柜的尺寸盡量減小，就必須要使機柜中產(chǎn)生的熱量值盡可能地減少。
如果在變頻器安裝時，把變頻器的散熱器部分放到控制機柜的外面，將會使變頻器有70%的發(fā)熱量釋放到控制機柜的外面。由于大容量變頻器有很大的發(fā)熱量，所以對大容量變頻器更加有效。
還可以用隔離板把本體和散熱器隔開,使散熱器的散熱不影響到變頻器本體。這樣效果也很好。注意：變頻器散熱設(shè)計中都是以垂直安裝為基礎(chǔ)的，橫著放散熱會變差的!
冷卻風(fēng)扇
一般功率稍微大一點的變頻器，都帶有冷卻風(fēng)扇。同時，也建議在控制柜上出風(fēng)口安裝冷卻風(fēng)扇。進(jìn)風(fēng)口要加濾網(wǎng)以防止灰塵進(jìn)入控制柜。注意控制柜和變頻器上的風(fēng)扇都是要的，不能誰替代誰。
其他關(guān)于散熱的問題
在海拔高于1000m的地方，因為空氣密度降低，因此應(yīng)加大柜子的冷卻風(fēng)量以改善冷卻效果。理論上變頻器也應(yīng)考慮降容，1000m每-5%。但由于實際上因為設(shè)計上變頻器的負(fù)載能力和散熱能力一般比實際使用的要大，所以也要看具體應(yīng)用。比方說在1500m的地方，但是周期性負(fù)載，如電梯，就不必要降容。
2。開關(guān)頻率：變頻器的發(fā)熱主要來自于IGBT，IGBT的發(fā)熱有集中在開和關(guān)的瞬間。因此開關(guān)頻率高時自然變頻器的發(fā)熱量就變大了。有的廠家宣稱降低開關(guān)頻率可以擴(kuò)容，就是這個道理。
